Knengwell-前裝式雙晶控傳感器
Knengwell 前裝式雙晶體傳感器，攜經(jīng)實(shí)踐長…
Knengwell
陜西柯能威爾科技有限公司
以尖端制造賦能工業(yè)
高性能機(jī)械、專業(yè)工程和可擴(kuò)展的解決方案
為每件產(chǎn)品提供卓越的工業(yè)品質(zhì)。
我們的核心服務(wù)
我們的產(chǎn)品覆蓋標(biāo)準(zhǔn)款與定制款，適配各類真空鍍膜及薄膜沉積系統(tǒng)
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Knengwell-石英晶體監(jiān)測儀（QCM）晶控傳感器饋入件(穿透件）
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陜西柯能威爾科技有限公司——Knengwell
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我們希望為您提供最好的服務(wù)
為暖通空調(diào)/制冷 工業(yè)制造 真空鍍膜 半導(dǎo)體IDM和晶圓代工廠 半導(dǎo)體設(shè)備制造商 醫(yī)藥和醫(yī)療 移動和汽車 研究與學(xué)術(shù)界分析儀器 電池制造提供高品質(zhì)的各種晶體傳感器
保證品質(zhì)
指通過建立標(biāo)準(zhǔn)、流程和檢驗(yàn)機(jī)制，確保產(chǎn)品或服務(wù)在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、交付等環(huán)節(jié)始終符合預(yù)定的質(zhì)量要求.
優(yōu)質(zhì)服務(wù)
在服務(wù)過程中，通過專業(yè)的態(tài)度、高效的響應(yīng)、貼心的細(xì)節(jié)等，超出客戶基本預(yù)期，滿足其核心需求甚至潛在需求的服務(wù)模式.
應(yīng)用場景
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常見問題解答
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通過使用Knengwell的薄膜計(jì)量設(shè)備，制造商可以完全控制薄膜沉積過程。這些精密測量工具旨在保持精確性和一致性，這對于半導(dǎo)體、光學(xué)和先進(jìn)材料等領(lǐng)域至關(guān)重要。QCM技術(shù)的整合確保即使是最精細(xì)的薄膜也能達(dá)到嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。
在鍍膜過程中，膜厚讀數(shù)有大的跳動
1. 由于晶振片損壞，模式跳躍
2. 膜料應(yīng)力大導(dǎo)致所鍍膜層從晶振片表面剝離，翹層。
3. 來自蒸發(fā)源（坩堝）的微顆粒或“濺物”，“雜質(zhì)”打擊到晶振片。
4. 晶振片的基座（探頭帽）的表面有小顆粒或有外來微粒（基座不正常）。
5. 小塊材料落在晶振片上（晶振片一面是面向蒸發(fā)源的）
晶體不振蕩或間歇振蕩（在真空或大氣中）
1. 彈片與晶振片之間間歇接觸或接觸不良（接觸點(diǎn)氧化）。
2. 彈片已經(jīng)失去彈力，變形，或斷腳現(xiàn)象，以及彈片與陶瓷圈之間松動。
3. 來自蒸發(fā)源的 RF 干擾。
4. 電纜 / 振蕩器沒有連接好，或者連接到錯誤的傳感器輸入端。
晶體中大氣中振蕩，但在真空中停止振蕩
1. 該現(xiàn)象為探頭基座 ( 單探頭，多探頭一樣 ) 內(nèi)部接觸彈片變形，斷裂，或者接觸不良，不是晶振片不良。
2. 離子源中和未調(diào)節(jié)好，導(dǎo)致過量的帶電離子瞬間擊穿晶振片，在晶振片表面形成點(diǎn)擊花紋。
雙晶體或多晶體轉(zhuǎn)換問題（不轉(zhuǎn)換或不對準(zhǔn)孔徑中心）
1. 無氣源，或氣動壓力不足
2. 鍍膜材料聚集在蓋上，使操作受阻
3. 準(zhǔn)直不正確 ( 主要為多探頭 )
4. 0.0225’直徑小孔未安裝于電磁閥的供氣一側(cè) ( 主要為多探頭 )
終止鍍膜后，膜厚有大的偏離
1. 由于熱接觸差，晶體被加熱
2. 外磁場干擾傳感器的磁場，如離子源
3. 晶振片子鍍膜過程中出現(xiàn)了負(fù)跳現(xiàn)象
